自動化工業級原子力顯微鏡，帶來線上晶片檢查和測量
Park Systems推出噪聲很低的全自動化工業級原子力顯微鏡——XE-Wafer。該自動化原子力顯微鏡系統旨在為全天候生產線上的亞米級晶體（尺寸200
mm和300
mm）提供線上高分辨率表面粗糙度、溝槽寬度、深度和角度測量。借助True
Non-Contact?模式，即便是在結構柔軟的樣品，例如光刻膠溝槽表面，XE-Wafer可以實現無損測量。
現有問題
目前，硬盤和半導體業的工藝工程師使用成本高昂的聚焦離子束(FIB)/掃瞄式電子顯微鏡(SEM)獲取納米級的表面粗糙度、側壁角度和高度。不幸的是，FIB/SEM會破壞樣品，且速度慢。
解決方案
NX-Wafer原子力顯微鏡實現全自動化的在線200 mm & 300 mm晶體表面粗糙度、深度和角度測量，且速度快、精度高。
益處
NX-Wafer讓無損線上成像成為可能，并實現多位置的直接可重復高分辨率測量。更高的精度和線寬粗糙度監控能力讓工藝工程師得以制造性能更高的儀器。
應用
串擾消除實現無偽影測量
獨特的解耦XY軸掃描系統提供平滑的掃描平臺
平滑的線性XY軸掃描將偽影從背景曲率中消除
精準的特征特亮和行業很好的儀表統計功能
工具匹配
CD(臨界尺寸)測量
出眾的精準且精密納米測量在提高效率的同時，也為重復性與再現性研究帶來*高的分辨率和*低的儀表西格瑪值。
精密的納米測量
媒介和基體亞納米粗糙度測量
憑借行業極低的噪聲和True Non-ContactTM模式，XE-Wafer在平滑的媒介和基體樣品上實現精準的粗糙度測量。
精準的角度測量
Z軸掃描正交性的高精度校正讓角度測量時精準度小于0.1度。
溝槽測量
獨有的True
Non-Contact模式能夠線上無損測量小至45 nm的腐蝕細節。
精準的硅通孔化學機械研磨輪廓測量
借助低系統噪聲和平滑輪廓掃描功能，Park Systems實現了硅通孔化學機械研磨(TSV
CMP)輪廓測量。
Park NX-Wafer特點
全自動圖形識別
借助強大的高分辨率數字CCD鏡頭和圖形識別軟件，Park NX-Wafer讓全自動圖形識別和對準成為可能。
自動測量控制
自動化軟件讓NX-Wafer的操作比較輕松。測量程序針對懸臂調諧、掃描速率、增益和點參數進行優化，為您提供多位置分析。
真正非接觸模式和更長的探針使用壽命
得益于高強度Z軸掃描系統，XE系列原子力顯微鏡讓真正非接觸模式成為可能。真正非接觸模式借助了原子間的相互吸引力，而非相互排斥力。
因此，在真正非接觸模式下，探針與樣品間的距離可以保持在幾納米，從而蓋上原子力顯微鏡的圖像質量，保證探針尖.端的鋒利度，延長使用壽命。
解耦的柔性XY軸與Z軸掃描器
Z軸掃描器與XY軸掃描器完全解耦。XY軸掃描器在水平面移動樣品，而Z軸掃描器則在垂直方向移動探針。該設置可實現平滑的XY軸測量，讓平面外移動降到*低。此外，XY軸掃描的正交性和線性也很好。
行業*低的本底噪聲
為了檢測*小的樣品特征和成像*平的表面，Park推出行業本底噪聲*低（< 0.5A）的顯微鏡。本底噪聲是在“零掃描”情況下確定的。當懸臂與樣品表面接觸時，在如下情況下測量系統噪聲：
·0 nm x 0 nm掃描范圍，停在一個點
·0.5增益，接觸模式
·256 x 256像素
選項
高通量自動化
自動探針更換(ATX)
借助自動探針更換功能，自動測量程序能夠無縫銜接。該系統會根據參考圖形測量數據，自動校正懸臂的位置和優化測量設定。磁性探針更換功能高于傳統的真空技術。
設備前端模塊(EFEM)實現自動晶體處理
您可以為NX-Wafer加裝自動晶片裝卸器(EFEM或FOUP或其他)。高精度無損晶片裝卸機械臂能夠保證XE-Wafer用戶享受到快速且穩定的自動化晶片測量服務。
長距離移動平臺，助力化學機械研磨輪廓掃描
該平臺帶有專有的用戶界面，可支持自動化學機械研磨輪廓掃描和分析。平面外運動(OPM)在樣品為5 mm時小于2 nm；10 mm時小于5 nm；50 mm時小于100
nm
離子化系統
離子化系統可有效地消除靜電電荷。由于系統隨時可生產和位置正離子和負離子之間的理想平衡，便可以穩定地離子化帶電物體，且不會污染周邊區域。它也可以消除樣品處理過程中意外生成的靜電電荷。
